Si_3N_4陶瓷与金属的真空扩散焊  

作　　者：包方涵 任家烈[1] 周运鸿[1] 高志勇[1] 

机构地区：[1]清华大学

出　　处：《电子工艺技术》1990年第5期20-24,共5页Electronics Process Technology

摘　　要：本文在对多种合金系统的中间层广泛试验的基础上,着重对几种铝合金用作Si_3N_4/钢真空扩散焊的中间层进行了筛选试验,认为Al—5％Si作为中间层的接头强度最好。较适当的焊接工艺条件是:扩散焊温度823K,压力60MPa,保温时间1800s。此时,接头中基本上不存在脆性相,剪切试验时是Al—5％Si层本身被剪断,说明两侧连接界面都是有较高的强度。通过SEM接头元素分析,断口X光衍射分析和热力学计算确认中间层与Si_3N_4之间的连接是通过:4Al+Si_3N_4=4AlN+3S_i这一化学反应实现的。

关 键 词：SI3N4陶瓷 金属 真空扩散焊 焊接 

分 类 号：TG456.3[金属学及工艺—焊接]