IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95％  

出　　处：《电源技术应用》2007年第1期73-73,共1页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（IR）推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200V FIEXFET MOSFET硅技术，可实现95％的效率。

关 键 词：DIRECTFET 功率MOSFET IR 国际整流器公司 功率半导体 封装技术 硅技术 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]