等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤  

Plasma-Induced Damage on 90nm-Technology MOSFETs

作　　者：唐瑜[1] 郝跃[1] 孟志琴[1] 马晓华[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第1期92-95,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60506020)~~

摘　　要：研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.Plasma-induced damage on 90nm Cu dual Damascene technology devices is investigated. Experiments on the hot carrier stress for nMOSFETs and NBTI stress for pMOSFETs are conducted. The antenna ratio is still a standard for detecting plasma-induced damage. The via structure shows more plasma damage than other metal structures. This is explained by the via first dual Damascene process.

关 键 词：等离子体损伤 天线结构 通孔 铜大马士革工艺 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]