In GaAs/GaAS应变层中应力的CBED的研究  

作　　者：谢强华[1] 冯国光[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理所中国科学院北京电镜实验室

出　　处：《电子显微学报》1990年第3期196-196,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含量为6％。会聚束电子衍射在EM-420上进行的。我们发现平面样品中有两种区域,1)衬底与超晶格的界面存在,可以观察在相互垂直的两[110]方向有失配位错。2)GaAs衬底与超晶格界面被Ar^+减薄掉。

关 键 词：INGAAS/GAAS 应变层 应力 CBED 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]