离子注入形成SOI材料的XTEM分析  

作　　者：倪如山[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《电子显微学报》1990年第3期190-190,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N^+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1^(18)N^+/厘米~2,N^+束流密度为50微安/厘米~2.

关 键 词：离子注入 XTEM 单晶硅膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]