GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究  

Self-Organized Growth of InAs Quantum Dots on GaAs (100)

作　　者：杨小平[1] 张伟[1] 陈宗圭[1] 王凤莲[1] 田金法[1] 邓元明[1] 郑厚植[1] 高旻[1] 段晓峰[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所超晶格微结构国家重点实验室,中国科学院北京电子显微镜实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第11期869-872,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异．Abstract We present a new approach to fabricate quantum dots using self-organized growth of InAs on GaAs (100) substrates.Both cross-sectional and plan-view TEM micrographs clearly show that strikingly uniform and very dense InAs QDs appeared after a critical coverage of 1. 7 ML, while InAs film is rather flat before the critical coverage. Optical characterization of these self-organized InAs QDs are studied by photoluminescence spectroscopy.

关 键 词：砷化镓 砷化铟 半导体结构 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]