邓元明

作品数：6被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：自组织生长砷化铟量子点微腔INAS量子点更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《光谱学与光谱分析》《发光学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究
《光谱学与光谱分析》2003年第2期223-225,共3页章继东 陈京好 邓元明 安龙 章昊 杨富华 李国华 郑厚植 
国家重点基础研究专项经费资助;No.G001CB3095
由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的...
关键词：半导体微腔 压力光谱 Rabi分裂 量子电动力学效应 
非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱
《发光学报》2000年第4期299-304,共6页刘宝利 徐仲英 王炳新 邓元明 杨富华 
国家自然科学基金资助项目!(197740 45 )
低温下 ,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下 ,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关 ;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关 ;而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依...
关键词：半导体平面微腔 InGaAs量子阱 时间分辨光谱 
杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响被引量：2
《红外与毫米波学报》1999年第6期423-426,共4页王海龙 朱海军 李晴 宁东 汪辉 王晓东 邓元明 封松林 
国家攀登计划;国家自然科学基金!(编号:19823001)
研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的...
关键词：自组织量子点 硅 杂质 砷化锢 均匀性 
InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒被引量：2
《红外与毫米波学报》1997年第4期241-244,共4页陈枫 封松林 杨锡震 王志明 汪辉 邓元明 
国家攀登计划;国家自然科学基金
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２...
关键词：量子点 DLTS 自组织生长 砷化铟 电子俘获势垒 
自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1997年第7期550-553,共4页王志明 邓元明 封松林 吕振东 陈宗圭 王凤莲 徐仲英 郑厚植 高旻 韩培德 段晓峰 
国家自然科学基金;国家攀登计划资助
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层...
关键词：量子点 自组织生长 多层垂直耦合 砷化铟 
GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1996年第11期869-872,共4页杨小平 张伟 陈宗圭 王凤莲 田金法 邓元明 郑厚植 高旻 段晓峰 
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时...
关键词：砷化镓 砷化铟 半导体结构 
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