亚微米PZT阵列制备及铁电性能研究  

作　　者：赵高扬[1] 张卫华[1] 徐国敏[1] 邓小翠[1] 蒋百灵[1] 赵卫[2] 

机构地区：[1]西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048 [2]中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068

出　　处：《中国科学（E辑）》2007年第1期1-6,共6页Science in China(Series E)

基　　金：国家重点基础研究前期专项项目(批准号:2003CCA03300);国家自然科学基金项目(批准号:90401009)资助

摘　　要：采用感光溶胶-凝胶法,在ITO/石英基板上制备了具有紫外感光性的PZT前驱溶胶及凝胶薄膜.利用薄膜自身的感光性,采用He-Cd紫外激光双光束干涉和二次曝光工艺,结合有机溶剂溶洗和600℃,15min热处理,制备了点阵周期为1μm,阵列格点尺寸为480nm×480nm×40nm的PZT薄膜阵列.并将原子力显微镜(AFM)和铁电测试仪联用,采用具有导电涂层的探针,通过扫描获得铁电阵列的三维图像.据此图像,把探针定位于特定的微小格点上,由铁电仪通过AFM探针提供电压,并经探针将测试信号反馈给铁电仪,以获得格点的电滞回线.结果表明,亚微米量级的PZT阵点随外电场的变化可以实现极化反转,表现出明显的铁电特性.

关 键 词：锆钛酸铅 铁电薄膜 感光性 电滞回线 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]