赵高扬

作品数：90被引量：164H指数：6
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发文主题：微细图形浸渍提拉法溶胶-凝胶法制备钇钡铜氧凝胶膜更多>>
发文领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
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双轴应变对二维IV-VI硫族化合物电子特性的影响
《功能材料》2022年第1期1104-1111,共8页郭颖 赵高扬 
陕西省科技厅青年项目(2021JQ-749);陕西省教育厅2019年度重点科学研究计划项目(19JS009)。
利用密度泛函理论(density function theory,DFT)模拟计算了二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物(MXs:SnS、SnSe、SnTe、GeS、GeSe和GeTe)的本征结构和电子特性,重点研究了双轴应变对MXs的能带结构特点、带隙大小和费米能级的影响。发现应变对单层MXs...
关键词：密度泛函理论 双轴应变 单层MXs 带隙 
铁硒基超导材料实用化研究进展
《低温物理学报》2021年第5期301-310,共10页秦丹彤 刘吉星 邵柏淘 张胜楠 李成山 赵高扬 
国家自然科学基金(批准号:52002334);陕西省重点研发计划(批准号:2021KW-26)资助的课题
由于铁基超导体含有铁磁性元素以及具有极高的上临界场等特性,引发了科学家对其理论和实用化研究的热潮.铁基超导体主要分为四个体系:“1111”体系、“122”体系、“111”体系和“11”体系.其中,“11”体系中的FeSe基超导材料由于结构...
关键词：FeSe基超导体 块体 线带材 实用化 
化学燃烧法制备Bi-2212前驱粉末
《低温物理学报》2021年第4期233-237,共5页相燕子 金利华 白利锋 张胜楠 李成山 雷黎 任洋 赵高扬 
国家自然科学基金(No.51777172);国家重点研发计划(No.2017YFE0301402);陕西省重点研发计划(No.2022GY-392);陕西省科技重大专项(2020zdzx-04-04-02);陕西省自然科学基础研究计划(No.2020JQ-884)资助的课题
高质量的前驱粉是制备高性能Bi-2212线材的基础.本文采用化学燃烧法制备纳米级Bi-2212前驱粉末,分析了Bi-2212纳米粉末的成相过程以及微观形貌,结果表明可以成功制备尺寸小于100 nm的氧化粉末,经过热处理后得到纯的Bi-2212成相粉.与传...
关键词：BI-2212 化学燃烧 纳米粉末 
图案化In_(2)O_(3):Sn薄膜制备及显影剂对图案制备的影响研究被引量：1
《功能材料》2021年第3期3092-3097,共6页任洋 贺海燕 赵高扬 王允威 
国家自然科学基金资助项目(51802260);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2019JQ-321);四川省重点实验室资金资助项目(2019FTSZ05)。
功能薄膜的图案化是微电子加工中不可或缺的工序,目前已经成为制约我国微型化集成电路发展的关键因素。本研究以制备低成本且高质量的图案化In_(2)O_(3):Sn薄膜为目的,摒弃常规且工艺复杂的干法刻蚀或湿法刻蚀的研究思路,转而向一种化...
关键词：ITO薄膜 图案化 溶胶-凝胶法 显影剂 
YGdBCO/YBCO+BaHfO_(3)复合超导层的制备
《低温物理学报》2020年第3期141-144,共4页肖晨飞 金利华 柏阳 李成山 赵高扬 
国家自然科学基金资助项目(51777172);陕西省自然科学基础研究项目(2017ZDJC-19)资助的课题。
采用脉冲激光沉积和化学溶液沉积相结合制备超导薄膜.在物理法制备的YGdBCO薄膜上实现化学法YBCO+BHO的同质外延生长.利用X射线衍射和扫描电镜对复合薄膜的相组成、织构和形貌进行了表征.结果表明,采用化学溶液沉积可以在YGdBCO层上制...
关键词：钇钡铜氧 脉冲激光沉积 化学溶液沉积 复合薄膜 
气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响被引量：1
《人工晶体学报》2020年第3期439-445,共7页史永贵 桑昭君 王允威 赵高扬 
陕西省教育厅自然科学专项(17JK0571);陕西省自然科学基础研究专项(2017JQ5107);攀枝花市科技计划项目(2017CY-G-18)。
基于石墨烯低压化学气相沉积技术,通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点。结果表明,与传统生长腔相比,气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级,并促使石墨烯晶核快速长大。同时...
关键词：石墨烯 低压化学气相沉积 气相捕获腔 铜箔 形核 生长 
REBCO涂层导体带材研究进展被引量：1
《西安文理学院学报（自然科学版）》2019年第6期85-89,共5页柏阳 金利华 李成山 冯建情 赵高扬 
国家自然科学基金资助项目(51777172);陕西省重大基础研究项目(2017ZDJC-19)
REBCO涂层导体由于其高磁场下优异的载流性能,将是高温超导材料真正实现在液氮温区强电应用的最具希望的超导材料,其制备技术已经成为目前高温超导成材研究热点.在众多的制备技术中,进入实际生产的成熟技术主要有:RABiTS/MOD和IBAD/(PLD...
关键词：涂层导体 带材 制备技术 
Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究被引量：2
《电子工艺技术》2017年第3期128-130,151,共4页毛开礼 王英民 李斌 赵高扬 
国家自然科学基金项目(项目编号:61404117);国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目(项目编号:2014AA041401)
为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生...
关键词：Si单晶衬底 3C-SiC单晶薄膜 修正的两步碳化工艺 
高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究
《电子工艺技术》2017年第2期63-66,88,共5页毛开礼 胡彦飞 王英民 李斌 赵高扬 
国家自然科学基金项目(项目编号:61404117);国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目(项目编号:2014AA041401)
高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。...
关键词：石墨烯 高纯半绝缘SiC单晶衬底 大面积 
SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究被引量：2
《功能材料》2017年第1期1139-1143,共5页毛开礼 王英民 李斌 赵高扬 
国家高技术研究发展计划(863计划)重大专项资助项目(2014AA041401)
10kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC外延生长工艺要求。4°4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量...
关键词：同质外延 氯化氢 快速外延 刻蚀工艺 
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