MCM-C耐高过载试验研究  

作　　者：夏俊生 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2006年第4期37-44,共8页

摘　　要：探讨了耐高过载概念的基本内涵,介绍了MCM-C耐高过载试验研究的主要内容和试验方法,给出了MCM-C耐高过载试验研究的结果和分析结论。

关 键 词：耐高过载 MCM—C 一体化封装 金属封装 加固 灌封 二次封装 

分 类 号：TN452[电子电信—微电子学与固体电子学]