氧化锌掺钴磁性半导体  

作　　者：黄银生[1] 刘俊杰[2] 

机构地区：[1]烟台大学光电信息科学技术学院,山东烟台264005 [2]滨州医学院,山东滨州256600

出　　处：《科技信息》2006年第02X期27-27,共1页Science & Technology Information

摘　　要：采用真空磁溅射方法制备了氧化锌掺钴薄膜。利用XRD检测了样品的结构，结果表明样品只有ZnO的衍射峰出现，没有钴或钴的化合物等杂质存在，说明样品只包含有单项ZnO，结果还进一步表明掺杂的部分钴取代了部分辞的位置，利用VSM所作的分析测量表明样品是磁性的，且居里温度高于室温。

关 键 词：磁控溅射 掺杂 氧化锌薄膜 磁性半导体 

分 类 号：TQ132.41[化学工程—无机化工]