基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作  

Fabrication of Monolithic Silicon Multi-Sensor on SOI Wafer

作　　者：徐敬波[1] 赵玉龙[1] 蒋庄德[1] 张大成[2] 杨芳[2] 孙剑[1] 

机构地区：[1]西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,西安710049 [2]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第2期302-307,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50535030;50475085);国家重点基础研究发展规划(批准号:2004CB619302);教育部"新世纪优秀人才支持计划"(批准号:NCET-05-0842)资助项目~~

摘　　要：为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相应的制备工艺步骤.针对芯片上各电阻间金属引线的可靠性问题和加速度传感器质量块吸附问题提出了有效的改进方法.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果.A monolithic silicon multi-sensor on SOI wafer that consists of a three-axis piezoresistive accelcrometer,a piezorsistive absolute pressure sensor,and a silicon thermistor temperature sensor is presented. The fabrication process of the sensor is described. An effective micromachining process is developed to improve the reliability of the metal wire in the multi-sensor and to avoid adhesion between the PYREX glass and silicon mass in the process of anodic bonding. Finally,the measurement results of the sensor are shown.

关 键 词：集成传感器 SOI MEMS 芯片 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]