高频溅射碳化硅薄膜的退火效应  

Thermal Effects on RF Sputtered SiC Film

作　　者：陈伟[1] 王玉霞[1] 蔡维理[1] 汤洪高[1] 石磊[1] 卢江[1] 胡克良[1] 周贵恩[1] 赵亚盾[1] 钱逸泰[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构研究开放实验室,中国科学技术大学结构中心和结构研究开放实验室,中国科学技术大学应用化学系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第5期376-379,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，研究了薄膜的高温真空退火效应．实验表明，退火后的薄膜具有较为理想的结晶取向和发光性质．Abstract Crystalline SiC film on Si(111 ) substrate was prepared by RF sputter and hightemperature vacuum annealing method. The film shows a considerably ordered orientation and a blue emission.

关 键 词：碳化硅薄膜 退火效应 高频溅射 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]