王玉霞

作品数：18被引量：57H指数：4
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供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文主题：碳化硅SISIC超导体AGI更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《科学通报》《稀有金属材料与工程》《低温物理学报》《光谱实验室》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
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有序介孔SBA-15复合稀土Tb络合物的制备和发光特性被引量：3
《光谱实验室》2012年第3期1902-1907,共6页孔维权 王玉霞 许邹明 戴鹏 
以三嵌段化合物P123为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,利用水热法制备出有序介孔二氧化硅SBA-15,随后利用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)、乙酰丙酮(ACAC)分步对该有序介孔材料进行改性,再将其置于乙醇溶液中,加入三价稀土Tb的盐溶液进...
关键词：有序介孔二氧化硅 Tb3+络合物 光致发光 
KAg_4I_5-AgI复合体系的电导率研究被引量：1
《物理学报》2011年第8期518-523,共6页高韶华 王玉霞 王宏伟 袁帅 
国家自然科学基金(批准号:50672095)资助的课题~~
采用固相反应法将市购的AgI和KI按4.1:1的摩尔组分配比,在避光干燥的条件下混合加热,制备出了KAg4I5(10%AgI)复合体系.用X射线衍射谱、扫描电子显微镜、复阻抗谱、差示扫描量热等分析手段,对复合体系的结构、形貌、离子导电特性及相变...
关键词：离子电导率 电化学势 空间电荷区 相变温度 
有序介孔氧化硅SBA-15/纳米AgI复合材料制备及其物性研究
《低温物理学报》2011年第1期20-24,共5页游志成 王玉霞 高韶华 
国家自然科学基金(批准号:50672095)资助的课题~~
AgI复合材料因其在电化学器件上的潜在应用而受到越来越多的关注.本文介绍采用浸渍热扩散的方法制备有序介孔氧化硅SBA-15/纳米AgI复合材料,对复合材料进行了XRD、TEM、SEM及交流阻抗谱分析表征.结果发现两相复合后AgI的离子电导率提高...
关键词：纳米AgI 快离子半导体 有序介孔氧化硅SBA-15 离子电导率 
有序介孔SBA-15紫外光致发光机理研究
《中国科学技术大学学报》2010年第1期58-61,共4页徐海涛 王玉霞 赵磊 
国家自然科学基金(50672095)资助
用水热法制备出了有序介孔二氧化硅SBA-15,分别在室温下进行了光致发光(PL)和电子顺磁共振(EPR)分析.室温PL谱分析发现了位于3.8 eV的紫外光致发光峰,进一步研究发现,样品在空气中静置十天后,3.8 eV的发光峰强度会增强.通过样品在不同...
关键词：有序介孔二氧化硅 SBA-15 硅醇基 ODC(Ⅱ) 间隙水 
低压Ar气氛下用PS/OCS/Si(111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理
《人工晶体学报》2006年第2期337-341,共5页王玉霞 李赟 陈征 何海平 王建文 邹优鸣 
国家自然科学基金(No.50372063);中国科学院创新项目资助
在一定压力的Ar气氛中对S i(111)衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-S iC薄膜。用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响。XPS分析显示薄膜中C/S i比为1.09。SEM分析...
关键词：界面层错空洞 溶胶-凝胶 碳化硅 
纳米AgI-多孔SiO_2复合材料的制备及其性能研究被引量：3
《硅酸盐学报》2003年第3期246-249,共4页王玉霞 何海平 陈宏伟 
国家自然科学基金 ( 5 9972 0 34 )资助项目
用KI溶液浸泡溶胶 -凝胶法制备的掺Ag+ 的SiO2 凝胶 ,经 5 0 0℃热处理后获得分散均匀的纳米AgI -SiO2 复合体系。用X射线衍射、扫描电镜、紫外 -可见反射光谱以及复阻抗谱等分析手段研究了其结构、形貌、光谱特性和离子电导性质。结果...
关键词：多孔二氧化硅 纳米碘化银 离子电导 相变滞后 
宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用被引量：22
《硅酸盐学报》2002年第3期372-381,共10页王玉霞 何海平 汤洪高 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 172 0 44 ) .
SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍...
关键词：宽带隙半导体材料 SIC 应用 碳化硅 体单晶生长 薄膜 半导体器件 
脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1277-1283,共7页王玉霞 曹颖 何海平 汤洪高 王连卫 黄继颇 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目 (项目编号 :5 9772 0 16 )~~
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度...
关键词：薄膜 晶化温度 准分子激光 光致发光 碳化硅 硅 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：4
《物理学报》2001年第2期256-261,共6页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金! (批准号 :5 97740 12 )
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶 凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0...
关键词：碳化硅 薄膜 溶胶凝胶甩膜 热解法 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
《人工晶体学报》2000年第S1期144-,共1页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金资助项目!(批准号 5 9772 0 16 )
本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的...
关键词：SiC膜 凝胶法 晶体结构 
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