曹颖

作品数：3被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文主题：SI溶胶凝胶SIC热解法碳化硅更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1277-1283,共7页王玉霞 曹颖 何海平 汤洪高 王连卫 黄继颇 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目 (项目编号 :5 9772 0 16 )~~
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度...
关键词：薄膜 晶化温度 准分子激光 光致发光 碳化硅 硅 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：4
《物理学报》2001年第2期256-261,共6页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金! (批准号 :5 97740 12 )
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶 凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0...
关键词：碳化硅 薄膜 溶胶凝胶甩膜 热解法 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
《人工晶体学报》2000年第S1期144-,共1页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金资助项目!(批准号 5 9772 0 16 )
本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的...
关键词：SiC膜 凝胶法 晶体结构 
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