郭震

作品数：3被引量：18H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文主题：SI碳化硅溶胶凝胶SIC薄膜激光淀积更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：4
《物理学报》2001年第2期256-261,共6页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金! (批准号 :5 97740 12 )
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶 凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0...
关键词：碳化硅 薄膜 溶胶凝胶甩膜 热解法 
在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜被引量：14
《Journal of Semiconductors》2000年第6期570-575,共6页王玉霞 温军 郭震 汤洪高 黄继颇 王连卫 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目!项目编号 59772 0 1 6
报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、...
关键词：准分子 激光淀积 碳化硅 薄膜 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
《人工晶体学报》2000年第S1期144-,共1页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金资助项目!(批准号 5 9772 0 16 )
本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的...
关键词：SiC膜 凝胶法 晶体结构 
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