何海平

作品数：6被引量：32H指数：3
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供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文主题：SICSI碳化硅光致发光溶胶凝胶更多>>
发文领域：理学电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《硅酸盐学报》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
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低压Ar气氛下用PS/OCS/Si(111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理
《人工晶体学报》2006年第2期337-341,共5页王玉霞 李赟 陈征 何海平 王建文 邹优鸣 
国家自然科学基金(No.50372063);中国科学院创新项目资助
在一定压力的Ar气氛中对S i(111)衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-S iC薄膜。用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响。XPS分析显示薄膜中C/S i比为1.09。SEM分析...
关键词：界面层错空洞 溶胶-凝胶 碳化硅 
纳米AgI-多孔SiO_2复合材料的制备及其性能研究被引量：3
《硅酸盐学报》2003年第3期246-249,共4页王玉霞 何海平 陈宏伟 
国家自然科学基金 ( 5 9972 0 34 )资助项目
用KI溶液浸泡溶胶 -凝胶法制备的掺Ag+ 的SiO2 凝胶 ,经 5 0 0℃热处理后获得分散均匀的纳米AgI -SiO2 复合体系。用X射线衍射、扫描电镜、紫外 -可见反射光谱以及复阻抗谱等分析手段研究了其结构、形貌、光谱特性和离子电导性质。结果...
关键词：多孔二氧化硅 纳米碘化银 离子电导 相变滞后 
宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用被引量：22
《硅酸盐学报》2002年第3期372-381,共10页王玉霞 何海平 汤洪高 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 172 0 44 ) .
SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍...
关键词：宽带隙半导体材料 SIC 应用 碳化硅 体单晶生长 薄膜 半导体器件 
脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1277-1283,共7页王玉霞 曹颖 何海平 汤洪高 王连卫 黄继颇 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目 (项目编号 :5 9772 0 16 )~~
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度...
关键词：薄膜 晶化温度 准分子激光 光致发光 碳化硅 硅 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：4
《物理学报》2001年第2期256-261,共6页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金! (批准号 :5 97740 12 )
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶 凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0...
关键词：碳化硅 薄膜 溶胶凝胶甩膜 热解法 
在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
《人工晶体学报》2000年第S1期144-,共1页王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高 
国家自然科学基金资助项目!(批准号 5 9772 0 16 )
本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的...
关键词：SiC膜 凝胶法 晶体结构 
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