陈征

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供职机构:中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文主题:层错SIPSOCS热解制备更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》更多>>
所获基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
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低压Ar气氛下用PS/OCS/Si(111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理
《人工晶体学报》2006年第2期337-341,共5页王玉霞 李赟 陈征 何海平 王建文 邹优鸣 
国家自然科学基金(No.50372063);中国科学院创新项目资助
在一定压力的Ar气氛中对S i(111)衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-S iC薄膜。用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响。XPS分析显示薄膜中C/S i比为1.09。SEM分析...
关键词:界面层错空洞 溶胶-凝胶 碳化硅 
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