在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜  

Preparation of(0001)Oriented 6H-SiC Films by Organic Gel Film Annealing on Si(111) Substrate

作　　者：王玉霞[1] 郭震[1] 何海平[1] 曹颖[1] 汤洪高[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥230026

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期144-,共1页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(批准号 5 9772 0 16 )

摘　　要：本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)面高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 ,SiC(0 0 0 1) / /Si(111)外延生长。膜中SiC的Si/C比约为 1,表层有少许污染C(CH和CO)和少量Si2 O3,CO态氧和吸附氧。膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 150nm。膜厚约为 0 .3μm。从对比实验可知 ,在退火时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量。

关 键 词：SiC膜 凝胶法 晶体结构 

分 类 号：O484[理学—固体物理]