A Patterned SOI LDMOSFET by Masked SIMOX for RF Power Applications  

一种适合射频功率放大器应用的图形化SOI LDMOSFET新结构(英文)

作　　者：李文钧[1] 孙玲玲[1] 刘军[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州310018

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第4期480-483,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：浙江省教育厅科技计划资助项目(批准号:KYG051205053)~~

摘　　要：A novel patterned-SOI LDMOSFET with a silicon window beneath the p-type channel was designed and fabricated for RF power amplifier applications. This novel device has good DC and RF characteristics. It has no kink effect on output performance,an off-state breakdown of up to 13V,and fT = 6GHz at DC bias of Vg = Vd = 3.6V.At 1.5GHz,a power-added efficiency （PAE） of 50% is achieved with an output power of up to 27dBm from this device.设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时,截至频率为6GHz.负载牵引测试表明,该器件在1.5GHz时,PAE为50%,输出功率为27dBm,表明该器件适合射频功率放大器的应用.

关 键 词：patterned-SOI LDMOSFET SIMOX RF power amplifier 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]