AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band  

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(英文)

作　　者：姚小江[1] 李宾 陈延湖[1] 陈小娟[1] 魏珂[1] 李诚瞻[1] 罗卫军[3] 王晓亮[3] 刘丹[1] 刘果果[1] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]四川龙瑞微电子有限公司,成都610041 [3]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第4期514-517,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目~~

摘　　要：A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10 × 120μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at VDS = 40V, IDS = 0.9A, a maximum CW output power of 41.4dBm with a maximum power added efficiency （PAE） of 32.54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5.4GHz.研制了一种基于Al GaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.

关 键 词：AlGaN/GaN HEMTs power combining MIC power amplifiers 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]