Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究  

作　　者：班大雁[1] 杨风源 方容川[1] 徐世红 徐彭寿[2] 孟宪信 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]合肥国家同步辐射实验室,中国科学技术大学合肥230026 [3]中国科学院长春物理研究所,长春130021

出　　处：《中国科学（A辑）》1996年第5期473-480,共8页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土 0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.

关 键 词：异质结 能带连接 同步辐射 光电子能谱 半导体 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理] TN304.25[理学—物理]