班大雁

作品数：7被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：ZNS半导体硫化锌光电子能谱研究光电子能谱更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究
《物理学报》1997年第9期1817-1825,共9页班大雁 方容川 薛剑耿 陆尔东 徐世宏 徐彭寿 
国家自然科学基金
用同步辐射光电子能谱测量了Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）异质结的价带偏移ΔＥｖ．对于Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）两界面，ΔＥｖ的实验结果均为（１９±０１）ｅＶ，与已有理论预期值相当符合，但与Ｍａｉｅｒｈ...
关键词：光电子能谱 硫化锌 硅 极性界面 能带偏移 
Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
《物理学报》1997年第3期587-595,共9页班大雁 方容川 杨风源 袁诗鑫 徐世宏 徐彭涛 
国家自然科学基金资助的课题
利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界...
关键词：半导体 异质结 光电子能谱 有带 同步辐射 锗 
ZnSe(100)极性表面电子结构研究被引量：1
《物理学报》1997年第4期767-774,共8页班大雁 方容川 李永平 张海峰 
国家自然科学基金
从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ＺｎＳｅ（１００）表面电子结构，讨论了ＺｎＳｅ（１００）无再构无弛豫理想表面及其ｃ（２×２）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ＺｎＳｅ（１００）非二聚再构表面较理想表面和二聚再...
关键词：半导体 极性 表面电子结构 Ⅱ-Ⅵ族 
CdTe（111）表面碱金属吸附的电子结构特性研究
《物理学报》1996年第12期2047-2053,共7页张海峰 李永平 方容川 班大雁 
从理论和实验两个方面对ＣｄＴｅ（１１１）表面碱金属吸附的电子结构特性进行了研究．实验结果表明碱金属Ｋ在ＣｄＴｅ（１１１）表面吸附是Ｃｄ替位吸附，它影响了ＣｄＴｅ（１１１）表面的表面态分布，产生了费密钉扎现象．在理论方...
关键词：碲化镉 半导体 碱金属吸附 电子结构 
ZnS（111）表面电子结构研究被引量：3
《物理学报》1996年第9期1526-1535,共10页班大雁 张海峰 李永平 方容川 
国家自然科学基金
利用ＭｕｆｉｎＴｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．
关键词：硫化锌 半导体结构 电子结构 
Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：1
《中国科学（A辑）》1996年第5期473-480,共8页班大雁 杨风源 方容川 徐世红 徐彭寿 孟宪信 
国家自然科学基金资助项目
利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 0....
关键词：异质结 能带连接 同步辐射 光电子能谱 半导体 
高频溅射生长ZnS∶Tb，F薄膜的结构与发光被引量：4
《发光学报》1996年第3期225-229,共5页余庆选 班大雁 张纪发 方容川 
本文采用Ｘ射线衍射和阴极射线发光技术对溅射法生长的ＺｎＳ∶Ｔｂ，Ｆ薄膜的发光光谱和薄膜的微观结构进行了研究，得出了激晶薄膜的晶粒尺寸与发光强度的关系．讨论了稀土离子的价态对掺杂稀土微晶薄膜的发光性质与晶粒尺寸的关系的...
关键词：薄膜 微观结构 发光光谱 硫化锌 
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