Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究  

VALENCE BAND OFFSETS OF Ge/ZnSe(100) STUDIED BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION

作　　者：班大雁[1] 方容川[1] 杨风源 袁诗鑫[3] 徐世宏[2] 徐彭涛[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室 [3]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《物理学报》1997年第3期587-595,共9页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金资助的课题

摘　　要：利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界面键极性模型对ＺｎＳｅ（１００）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论。The band lineup of a Ge/ZnSe(100) polar interface has been studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy.Surface sensitive core level spectra indicate that Ge atoms in the overlayer can react with Se atoms at the interface.The valence band offset of this heterojunction has been obtained using core level techniques,and found to be 1 76±0 1eV.The effect of polar surface ZnSe(100) on the valence band offset has been discussed in light of the interface bond polarity model.The experimental results agree well with the theory.

关 键 词：半导体 异质结 光电子能谱 有带 同步辐射 锗 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学] O471.5[理学—半导体物理]