Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究  

VALENCE BAND OFFSETS OF Si/ZnS POLAR INTERFACES: A SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION STUDY

作　　者：班大雁[1] 方容川[1] 薛剑耿[1] 陆尔东[2,1] 徐世宏[2,1] 徐彭寿[2,1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系 [2]合肥国家同步辐射实验室

出　　处：《物理学报》1997年第9期1817-1825,共9页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用同步辐射光电子能谱测量了Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）异质结的价带偏移ΔＥｖ．对于Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）两界面，ΔＥｖ的实验结果均为（１９±０１）ｅＶ，与已有理论预期值相当符合，但与Ｍａｉｅｒｈｏｆｅｒ所报告的ＺｎＳ／Ｓｉ（１１１）异质结测量结果之间则存在明显差别．该实验结果表明对于Ｓｉ／ＺｎＳ极性界面，互逆性规则（ｃｏｍｍｕｔａｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）可能不成立，就此进行了讨论．Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy is used to measure the valence band offsets for Si/ZnS(111) and (100) heterojunctions. The valence band discontinuities obtained from the measurements are both (1 9±0 1)eV for Si/ZnS(111) and Si/ZnS(100) interfaces,which is in excellent agreement with the theoretical predictions but considerably different from the experimental result of ZnS/Si(111) reported by Maierhofer et al. This suggests that the commutativity rule of band offset may not be valid for Si/ZnS polar interface and the reason is discussed.

关 键 词：光电子能谱 硫化锌 硅 极性界面 能带偏移 

分 类 号：TN304.22[电子电信—物理电子学] O471.5[理学—半导体物理]