P型ZnO薄膜的制备及特性研究  

作　　者：孔春阳[1] 王楠[1] 朱仁江[1] 秦国平[1] 戴特力[1] 南貌[1] 阮海波[1] 

机构地区：[1]重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆400047

出　　处：《重庆师范大学学报（自然科学版）》2007年第2期21-21,共1页Journal of Chongqing Normal University:Natural Science

基　　金：重庆市自然科学基金(No.AC4034);重庆市教委科研基金项目(N0.KJ050812)

摘　　要：ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料，是一种理想的短波长发光器件材料，在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景，实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术，在直径为100mm的单晶Si（110）衬底上制备ZnO薄膜，薄膜厚度为1．8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜（SEM）观察表明，离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷，粗糙度明显增加，但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射（XRD）给出样品具有对应于ZnO（002）面的衍射峰，表明薄膜具有较好的C轴择优取向。在不同温度下（500℃，650℃，800℃，900℃，950℃），

关 键 词：离子注入 P型ZNO薄膜 退火 射频磁控溅射 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]