AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究  

Research on the Materials Epitaxial Technology of AlGaN/GaN HEMT

作　　者：杨红伟[1] 刘英斌[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》2007年第4期186-189,共4页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNEⅡ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上,生长了AlGaN/GaN HEMT结构材料,获得了良好的2DEG性能。By LP MOCVD, intrinsic GaN and AlGaN/GaN HEMT materials were grown on sapphire and SiC substrate. During growth process, in-situ monitor （EpiTUNE Ⅱ ） was used to analyze the growth model, and the growth control was optimized. Based on intrinsic GaN with fine surface morphology, good crystal quality and perfect photoluminescence spectrum, AlGaN/GaN HEMT structure material was grown, and got fine 2DEG properties.

关 键 词：金属有机物化学气相淀积 蓝宝石 碳化硅 高电子迁移率晶体管 在位监测 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]