用于移动通信的GaAs单片功率放大器  

A GaAs MMIC Power Amplifier Used for Mobile Communication

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作  者:顾炯[1] 陈克金[1] 蒋幼泉[1] 李祖华[1] 陈堂胜[1] 

机构地区:[1]南京电子器件研究所,210016

出  处:《固体电子学研究与进展》1997年第1期3-6,共4页Research & Progress of SSE

摘  要:简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑和版图.该三级放大电路在800-900MHz内,小信号增益>35dB,饱和输出功率>32dBm,效率>34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺,均匀性、重复性好,工艺成品率高。This paper describes the design,fabrication and test results of a GaAs MMIC power amplifier used in mobile coinmunication system. The circuit topology and layout are presented. This three-stage amplifier has small signal gain of more than 35 dB and saturated output power of more than 32 dBm with power added effi-ciency more than 34% in frequency range of 800-900 MHz. A satisfying yield on 50 mm GaAs wafers was obtained due to the high uniformity and reproducibility of the fabrication technology.

关 键 词:砷化镓 单片电路 功率放大器 移动通信 

分 类 号:TN722.75[电子电信—电路与系统] TN929.5

 

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