高耐压低负阻大功率晶体管理论分析  

Theoretical Analysis of Power Transistor with High Breakdown Voltage and Low Negative Resistance

作　　者：李建军[1] 魏希文[1] 裴素华[2] 王子欧 

机构地区：[1]大连理工大学半导体研究室,116023 [2]山东师范大学半导体研究所,济南250014

出　　处：《固体电子学研究与进展》1997年第1期15-20,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。The emitter-collector negative resistance of transistor is analyzed theoretically,with the simulation of doping distribution for gallium-born transistor and gallium transistor by SUPREM-Ⅲ, the reasons are obtained for the less nega-tive resistance of gallium-born transistor and the lower current gain of gallium tran-sistor.

关 键 词：负阻 功率器件 理论分析 功率晶体管 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]