李建军

作品数：14被引量：27H指数：3
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综合安全评估在船舶装卸载过程中应用被引量：10
《大连理工大学学报》2002年第5期564-568,共5页郭昌捷 张道坤 李建军 
国家自然科学基金资助项目 (70 0 73 0 44 )
介绍了船舶设计和营运管理中综合安全评估的基本方法和步骤 .该方法着重考虑了人为因素 /人为失误 .通过风险分析 ,提出降低风险措施的决策建议并作费用与效益评估 .以 980 0 0 DWT为例 ,分析表明 ,该油船装 /卸载过程对船体梁纵向强度...
关键词：卸载过程 风险分析 综合安全评估 人为因素 人为失误 船舶安全性 装载过程 风险控制 
Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2000年第1期99-104,共6页李建军 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 韩汝琦 
国家 8 63![863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 6) ];国家‘九五’重点科技攻关!( 97-761 -0 3 -0 2 );国家自然科学基金!( 698760 0 4 ;698962 6
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使...
关键词：锗硅合金 模拟器 异质结 晶体管 
基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响
《Journal of Semiconductors》1999年第3期188-193,共6页安俊明 李建军 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 
国家自然基金资助项目
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β...
关键词：双极晶体管 异质结 应变基区 共射极电流增益 
纳米硅薄膜低温光致发光被引量：1
《固体电子学研究与进展》1998年第1期38-42,共5页窦红飞 李建军 魏希文 邹赫麟 何宇亮 刘明 
国家自然科学基金
以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理...
关键词：纳米硅薄膜 光致发光 化学气相渡积 等离子体 
双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第4期302-307,共6页张富斌 李建军 魏希文 
国家自然科学基金
本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还...
关键词：负阻器件 双向S型 二维数值模拟 
高耐压低负阻大功率晶体管理论分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》1997年第1期15-20,共6页李建军 魏希文 裴素华 王子欧 
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。
关键词：负阻 功率器件 理论分析 功率晶体管 
双向S型负阻器件的二维计算机数值模拟
《大连理工大学学报》1996年第6期660-663,共4页张富斌 李建军 魏希文 
国然自然科学基金
介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件进行二维数值模拟的方法，并用此方法模拟得出器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴浓度分布和电流密度分布．
关键词：半导体器件 数值模拟 计算机模拟 BNRD 
锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究
《大连理工大学学报》1996年第2期170-173,共4页邹赫麟 李建军 魏希文 金星 王德和 张翔九 卢学坤 蒋最敏 王迅 
复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题
使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微...
关键词：分子束外延 位错 锗硅合金 薄膜 界面 电镜 
双向负阻器件的数值模拟被引量：3
《电子学报》1996年第2期66-69,共4页李建军 魏希文 王美田 李风银 王化雨 盖学敏 
国家自然科学基金
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。
关键词：负阻器件 数值模拟 半导体器件 
纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第12期917-920,共4页万明芳 魏希文 李建军 邹赫麟 袁凯华 何宇亮 
利用扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＳＴＭ）对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究，结合分形理论，计算出样品表面形貌的分形维数Ｄ，从而得出Ｄ与有关样品微结构参数之...
关键词：纳米硅薄膜 表面形貌 分形 STM 
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