锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究  

Study of boundary between Ge_xSi_1-xMBE layer and Si substrate by TEM

作　　者：邹赫麟[1] 李建军[1] 魏希文[1] 金星[1] 王德和[1] 张翔九[1] 卢学坤[1] 蒋最敏[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]大连理工大学物理系,复旦大学应用物理国家重点实验室

出　　处：《大连理工大学学报》1996年第2期170-173,共4页Journal of Dalian University of Technology

基　　金：复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题

摘　　要：使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理．The thermal relaxation of coherently strained GexSi1-x films grown by molecularbeam epitaxy on Si(100) is studied by cross-section transmission electron microscopy (XTEM) and high-resolution latticeimaging TEM. For anneals done at different temperatures up to 750℃, dislocation generation on the boundary proceeds slowly. However, at 850℃ thedislocation increases rapidly, which may be caused by dislocation climb aided by Ge interdiffusion.

关 键 词：分子束外延 位错 锗硅合金 薄膜 界面 电镜 

分 类 号：TN304.105[电子电信—物理电子学]