纳米硅薄膜低温光致发光  

Photoluminescence of nc-Si: H Film at Low Temperature

作　　者：窦红飞[1] 李建军[1] 魏希文[1] 邹赫麟[1] 何宇亮[2] 刘明[2] 

机构地区：[1]大连理工大学半导体,研究室116023 [2]北京航空航天大学非晶态物理研究室,100083

出　　处：《固体电子学研究与进展》1998年第1期38-42,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。The nc-Si: H films are prepared by using highly diluted silane as thereactive gas in a PECVD system. The photoluminescence on the films is observed at77 K. In addition, the spectra of Raman scattering and the infrared absorption, andthe concentrations of H and O are obtained. The mechanism of photoluminescenceof the film is discussed simply.

关 键 词：纳米硅薄膜 光致发光 化学气相渡积 等离子体 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理] TN383.204[理学—物理]