压阻型α((6H)碳化硅压力传感器可在高达600℃的高温下工作  

作　　者：Roger Allan 晓萍 

出　　处：《电子产品世界》1997年第2期94-94,共1页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：新泽西州Leonia的Kulite Semi-conductor Products公司的研究人员研制成功一种基于膜片的压阻碳化硅(SiC)压力传感器,其工作温度可能超过600℃。这么高的温度范围远超过目前的常规硅传感器。KuliteSemiconductor Products公司首批生产的传感器工作于室温至350℃,但开发小组确信,它们可能工作于600℃。这一温度高于硅pn结隔离的压敏电阻的温度上限(175℃)和绝缘层上硅(SOI)传感器的温度上限(500℃)。

关 键 词：碳化硅 压力传感器 传感器 压阻型 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]