高k栅介质材料的研究进展  

Progress of High k Materials as Gate Dielectrics

作　　者：蔡苇[1] 符春林[1] 陈刚[1] 

机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆400050

出　　处：《半导体技术》2007年第2期97-100,共4页Semiconductor Technology

基　　金：重庆科技学院科技创新团队建设工程(CX06-9)

摘　　要：综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。Some problems of SiO2 gate dielectrics, requirements for high k materials as MOSFET gate dielectrics and the latest development of high k gate dielectrics instead of traditional SiO2 were reviewed. The issues to be solved in the development of high k materials were also pointed out.

关 键 词：高K栅介质 SIO2栅介质 等效氧化物 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]