2～18GHz GaAs单片超宽带放大器  

2～18GHz GaAs Monolithic Ultra-Broadband Amplifier

作　　者：于玲莉[1] 丁奎章[1] 何庆国[1] 

机构地区：[1]电子工业部第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体情报》1997年第1期36-38,共3页Semiconductor Information

摘　　要：介绍了2～18GHz GaAs 微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作。给出了主要研究结果:在2～18GHz 频率范围内,管壳封装的两级级联放大器的增益 G_a=13.5～18.3dB,噪声系数 F_n=4.2～6.2dB,输入电压驻波比 VSWR_(in)<2.0,输出电压驻波比 VSWR_(out)<2.5。The design principle and research process of 2 to 18GHz GaAs microwave low noise ultra-broadband monolithic amplifier is described in this paper.Its final results are presented,in 2 to 18GHz frequency range,the noise figure is 4.2～6.2dB,the gain is 13.5～18.3dB,input VSWR is less than 2.0,output VSWR is less than 2.5 for a packaged two stage amplifier.

关 键 词：单片集成 超宽带 分布放大器 砷化镓 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]