分布放大器

作品数：17被引量：18H指数：2
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新型的CMOS分布放大器的设计
《黄冈师范学院学报》2013年第6期56-59,共4页刘畅 
利用0.6微米CMOS技术设计了一种新型的CMOS分布放大器。介绍了分布放大器的原理。利用HP-ADS软件仿真和设计了一个四级CMOS分布放大器。设计中使用了一系列片上螺旋电感。测量了分布放大器的S参数。对实验结果进行了分析和讨论。
关键词：分布放大器 CMOS 螺旋电感 S参数 
单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期540-544,共5页冯忠 焦世龙 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277088);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结...
关键词：单片集成 光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
2．5Gb／s GaAsPIN／PHEMT单片集成光接收机前端被引量：5
《光电子．激光》2008年第2期191-195,共5页焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 杨先明 李拂晓 邵凯 吴云峰 
国家自然科学基金资助项目(60277008);单片集成电路与模块国家重点实验室基金资助项目(51491050105DZ0201)
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围...
关键词：PIN光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
《电子学报》2007年第5期955-958,共4页焦世龙 陈堂胜 蒋幼泉 钱峰 李拂晓 邵凯 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201);教育部重点科技项目(No.03147)
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14....
关键词：GaAsPHEMT 分布放大器 带宽 噪声系数 眼图 
5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第4期587-591,共5页焦世龙 陈堂胜 钱峰 冯欧 蒋幼泉 李拂晓 邵凯 叶玉堂 
国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约4...
关键词：金属-半导体-金属光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
用于40Gb/s光接收机的0.2μm GaAs PHEMT分布放大器被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1989-1994,共6页郑远 陈堂胜 钱峰 李拂晓 邵凯 
利用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器.该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于-10dB,跨阻增益为45.6dBΩ,最小等效输入噪声电流密度为22pA/Hz,功耗为300mW,可有效地...
关键词：分布放大器 前置放大器 跨阻增益 噪声电流 
1．0-18．0GHz超宽带放大器
《半导体信息》2005年第2期25-25,共1页陈裕权 
M/A-COM公司宣布了一种表面安装塑封超宽带放大器。这种宽带放大器引起诸如测试仪表、军事电子战及电子对抗、微波点对点无线电设备及甚小孔经终端等诸多制造业的兴趣。
关键词：宽带放大器 Hz 电子对抗 无线电设备 测试仪表 分布放大器 噪声系数 激励级 偏置电路 单片集成电路 
放大技术、放大器
《电子科技文摘》2002年第11期32-33,共2页
关键词：放大技术 音频功率放大器 分布放大器 低噪声放大器 电流放大器 信号放大器 脉冲发生器 噪声系数 放大器设计 光纤放大器 
2～18GHz GaAs单片超宽带放大器
《半导体情报》1997年第1期36-38,共3页于玲莉 丁奎章 何庆国 
介绍了2～18GHz GaAs 微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作。给出了主要研究结果:在2～18GHz 频率范围内,管壳封装的两级级联放大器的增益 G_a=13.5～18.3dB,噪声系数 F_n=4.2～6.2dB,输入电压驻波比 VSWR_(in)<2.0,输出电...
关键词：单片集成 超宽带 分布放大器 砷化镓 
8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器被引量：1
《半导体情报》1995年第4期17-19,共3页于玲莉 丁奎章 吴阿惠 何庆国 
报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联...
关键词：单片集成 分布放大器 MMIC 宽带 
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