EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究  

EBSD Study on the Elastic Strain Fields in InGaAsP/InP Heterostructure

作　　者：范丽霞[1,2] 卢卓宇[1,2] 任峰[1,2] 薄昌忠[1,2] 付强[1,2] 

机构地区：[1]武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室,武汉430072 [2]武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072

出　　处：《武汉理工大学学报》2007年第E01期39-41,共3页Journal of Wuhan University of Technology

基　　金：国家自然科学基金项目（10375044,10435060）和教育部高等学校博士学科点专项科研项目（20050486054）

摘　　要：利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。We characterize elastic strain fields at the interface between buffer layer and epilayer of InGaAsP/InP heterostructure which have misfit but dislocation-free by Electron Backscattering Diffraction （EBSD） technology based on SEM. Image Quality （IQ） use as the strain sensitive parameters.

关 键 词：电子背散射衍射(EBSD) 弹性应力区域 菊池花样质量(1Q) InGaAsP/InP异质结构 

分 类 号：TG115.23[金属学及工艺—物理冶金]