卢卓宇

作品数：2被引量：4H指数：2
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发文主题：磁强计校正方法EBSD发光性能研究更多>>
发文领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>
发文期刊：《武汉理工大学学报》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究被引量：2
《武汉理工大学学报》2007年第E01期39-41,共3页范丽霞 卢卓宇 任峰 薄昌忠 付强 
国家自然科学基金项目（10375044,10435060）和教育部高等学校博士学科点专项科研项目（20050486054）
利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。
关键词：电子背散射衍射(EBSD) 弹性应力区域 菊池花样质量(1Q) InGaAsP/InP异质结构 
离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究被引量：2
《武汉理工大学学报》2007年第E01期97-100,共4页李慧 卢卓宇 蒋昌忠 任峰 肖湘衡 蔡光旭 
国家自然科学基金项目（No.10375044,10435060）和教育部高等学校博士学科点专项科研项目（20050486054）
用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中，样品分别在600℃，800℃和1100℃进行了退火，并在1100℃时作了1h,2h、3h和4．5h的退火。用透射电镜（TEM）和光致发光（PL）研究了退火温度以及退火时间对样品的微结构和发光特性的影响...
关键词：碳化硅 光致发光 纳米颗粒 热退火 
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