离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究  

Optical Properties of SiC Nanoparticles Formed by Ion Implantation

作　　者：李慧[1,2] 卢卓宇[1,2] 蒋昌忠[1,2] 任峰[1,2] 肖湘衡[1,2] 蔡光旭[1,2] 

机构地区：[1]武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室,武汉430072 [2]武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072

出　　处：《武汉理工大学学报》2007年第E01期97-100,共4页Journal of Wuhan University of Technology

基　　金：国家自然科学基金项目（No.10375044,10435060）和教育部高等学校博士学科点专项科研项目（20050486054）

摘　　要：用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中，样品分别在600℃，800℃和1100℃进行了退火，并在1100℃时作了1h,2h、3h和4．5h的退火。用透射电镜（TEM）和光致发光（PL）研究了退火温度以及退火时间对样品的微结构和发光特性的影响。实验表明，退火后样品中形成了SiC纳米颗粒，PL谱中观察到了缺陷和SiC纳米颗粒的发光。Si, C ions were implanted into amorphous silicon dioxides. The implanted specimen were then annealed at different temperatures and different times： 600 ℃ 1 h, 800 ℃ 1 h, 1 100 ℃ 1 h, 2 h, 3 h, and 4.5 h. Transmission dectron microscopy and photoluminescence spectrum reveal the influence of annealing temperature and time on the microstructure and optical property of specimen..SiC nanoparticles were formed hy annealing at 800 ℃ and the luminescence from defects were also ohserved.

关 键 词：碳化硅 光致发光 纳米颗粒 热退火 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]