云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 薄昌忠

薄昌忠: 作品数：1被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>; 发文主题：EBSD电子背散射衍射更多>>; 发文领域：金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《武汉理工大学学报》更多>>; 所获基金：国家教育部博士点基金更多>>

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EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究被引量：2: 《武汉理工大学学报》2007年第E01期39-41,共3页范丽霞卢卓宇任峰薄昌忠付强; 国家自然科学基金项目（10375044,10435060）和教育部高等学校博士学科点专项科研项目（20050486054）; 利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。; 关键词：电子背散射衍射(EBSD) 弹性应力区域菊池花样质量(1Q) InGaAsP/InP异质结构