掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制Ⅰ  

作　　者：Laura Peters（编） 

机构地区：[1]《集成电路应用》高级编辑

出　　处：《集成电路应用》2007年第4期36-36,共1页Application of IC

摘　　要：雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时．这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩膜版。然而到了193nm光刻．受其影响的掩膜版高达20％左右，雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说：“由于光刻波长变短．每个光子携带的能量更大。所以发生光化学反应的几率大为增加。”

关 键 词：掩膜版 缺陷 193nm光刻 寿命 光化学反应 技术市场 无机物 有机物 

分 类 号：O644.1[理学—物理化学]