用于实时刻蚀深度控制的光干涉测量法  

作　　者：宋一平 

机构地区：[1]Aviza Technology,Inc.

出　　处：《集成电路应用》2007年第4期59-59,共1页Application of IC

摘　　要：对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中．由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样．因而通常采用OES（光发射谱）方法进行终点检测。

关 键 词：表面刻蚀 干涉测量法 深度控制 实时 等离子体刻蚀 终点检测 光发射谱 工艺过程 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]