应变硅:45nm的基本要素  

作　　者：Laura Peters 

机构地区：[1]Semiconductor International

出　　处：《集成电路应用》2007年第5期20-25,共6页Application of IC

摘　　要：当晶体管尺寸达到45nm以后．传统的等比例缩小方法很快就会碰壁。随着电流密度的增大．迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键．因为电源电压被等比例缩小以降低芯片的动态功耗。Freescale Semiconductor新型器件事业群的经理Aaron Thean说：“随着等比例缩小的不断进行．对功耗、性能，成本、可变性和密度的限制不断增强．这将工艺技术与芯片上的电路和系统前所未有地紧密联系起来。”

关 键 词：SEMICONDUCTOR 应变硅 FREESCALE 动态功耗 电流密度 电源电压 晶体管 比例 

分 类 号：TN929.53[电子电信—通信与信息系统]