超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性  

Fabrication and Characteristics of Super Gain Polysilicon Emitter BICFET

作　　者：郭维廉[1] 宋玉兴[1] M.A.Green M.K.Morvvej-Farshi 

机构地区：[1]天津大学电子工程系,天津300072 [2]澳大利亚新南威尔士大学电机系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第4期286-291,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．The BICFET with an emitter structure of poly-Si(n+)/UTI/n-si tunnel junction has been fabricated and the characteristics of the BICFET have been measured. The small-signal current gain (G) of this device is in excess of 106 at low current level and the explanation on a new idea for this high G has been made.

关 键 词：BICFET 增益 场效应晶体管 多晶硅 发射极 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]