负电子亲和势氮化镓光电阴极  

GaN Based Negative Electron Affinity Photocathode

作　　者：李慧蕊[1] 申屠军 戴丽英[1] 马建一[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京210016

出　　处：《光电子技术》2007年第2期73-77,共5页Optoelectronic Technology

摘　　要：负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。GaN based negative electron affinity（NEA） photocathodes show extensive prospect in ultraviolet signal detection. We describe here the principle of GaN based negative electron affinity photocathode and analyze its energy band structure. Construction of GaN material and technique for photocathode processing are then designed. It is also shown that the key points for GaN based NEA photocathode processing are material growth, vacuum processing and Cs （O） activation.

关 键 词：超高真空 激活 负电子亲和势 GAN光电阴极 紫外敏感 光电探测 

分 类 号：O462.3[理学—电子物理学]