SONOS非挥发性存储器件的研究进展  

Research Progress of SONOS Nonvolatile Memory Device

作　　者：房少华[1] 程秀兰[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,上海200030

出　　处：《电子器件》2007年第4期1211-1215,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：上海交通大学青年教师校内科研启动基金;海市科委重大项目资助(03DZ14025);上海交大青年科研项目基金支助

摘　　要：随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.Due to scaling down of nonvolatile memory device, SONOS configuration memory is regarded again. Ultrashort SONOS device and two-bit SONOS device are introduced, and the schemes of changing silicon nitride layer and applying high-K material to improve performance of SONOS device are reviewed. Applying high-K material in nonvolatile memory device should be more promising.

关 键 词：SONOS器件 非挥发性存储器件 HIGH-K 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]