CMOS电压模式伪指数功能电路  

CMOS Voltage-Mode Pseudo-Exponential Function Circuit

作　　者：陈斯[1] 恽廷华[2] 王文静[1] 

机构地区：[1]徐州师范大学物理与电子工程学院,江苏徐州221116 [2]东南大学国家ASIC系统工程研究中心,南京210096

出　　处：《电子器件》2007年第4期1246-1248,共3页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：徐州师范大学校科研基金项目(06XLB04)

摘　　要：根据函数(1+x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.A CMOS voltage-mode pseudo-exponential circuit based on the function （1 ＋x）/（1-x） is realized by using MOS transistor square law in saturation region. The circuit consists of a couple of simple back to back current mirror and a current-mode divider. Based on the TSMC 0. 18μm CMOS process, 3. 3 V power supply, simulation results using Hspice show that the output voltage and the input voltage manifest a good dB-linear relation, and the dB-linear range of the output voltage within the error of less than 1 dB is 20 dB.

关 键 词：指数函数 电压模式 CMOS工艺 dB-线性 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]