非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究  

Interfacial Structures and Properties of SiN Layer in a-Si Thin Film Transistors

作　　者：谢振宇[1] 龙春平[1] 邓朝勇[1] 林承武[1] 

机构地区：[1]北京京东方光电科技有限公司,北京100176

出　　处：《真空科学与技术学报》2007年第4期341-345,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。Inteffacial structures and properties of SiN layer in a-Si thin film transistors（TFT） were characterized with Fourier transform infrared spectroscopy（FTIR）, and ellipsometry. The resuhs show that high density of Si-N bond or low density of Si-H bond may widen the optical band gap and increase the relative dielectric constant. The SiN layer strongly affects the microstructures at the a-Si ： H/SiNx ： H interface, and thereby improves TFF stability and its field effect mobility.

关 键 词：栅界面层 氮化硅 光禁带宽度 介电常数 导通电流 

分 类 号：TN305.8[电子电信—物理电子学]