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出 处:《电力电子》2007年第3期45-49,共5页Power Electronics
摘 要:传递模塑制造技术被成功应用到600伏范围的集成功率模块(IPM)已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进,例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管(CSTBT)实用化,这些改进为低成本,高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIP IPMs的功率已经能达到3.7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展,将其用于额定电流从10A到25A的1200V CIB模块,该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将详细介绍DIP CIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3.7KW的完整逆变器包括三输入整流器,闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC,所有这些部件通过传递模塑技术被精密封装,可达到UL和IEC所要求的最小爬电和电气间隙。
关 键 词:集成功率模块 传递模塑 高压集成电路 逆变器 整流器 驱动 芯片制造技术 闸
分 类 号:TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]
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