利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路  

Analyzing and Designing of SCR-Structured ESD Protection with ISE-TCAD

作　　者：向李艳[1] 邬齐荣[1] 龚敏[1] 陈畅[1] 

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都610064

出　　处：《电子与封装》2007年第8期30-33,38,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。The conventional method for ESD protection design is based tentative and ruinous experiments, which is harmful for the generation of new produce. In this paper, ISE-TCAD tool has been introduced to simulate the SCR-structured ESD protection and predict the characteristics of the circuit with a typical 0.6μ m CMOS technology. The results show that it was an easy way to design SCR-structured ESD protection circuit.

关 键 词：静电保护 ISE—TCAD 可控硅整流器 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]